Tin tức
Phá Vỡ Giới Hạn Tốc Độ Lưu Trữ: Bộ Nhớ Flash Mới Có Thể Thay Thế RAM và Ổ Cứng
Một nhóm nghiên cứu tại Đại học Phúc Đán (Trung Quốc) vừa phát triển thành công bộ nhớ flash “PoX” với tốc độ đọc/ghi chỉ 400 picôgiây — nhanh nhất thế giới hiện nay. Dựa trên hiện tượng "siêu phóng thích" điện tử và vật liệu hai chiều, công nghệ này hứa hẹn thay đổi hoàn toàn kiến trúc bộ nhớ, mở đường cho sự phát triển vượt bậc trong AI, điện toán đám mây và thiết bị cá nhân.
Đột Phá Mới: Chip Quang Tử 3D Siêu Nhỏ Mở Ra Kỷ Nguyên AI Siêu Tốc
Một nhóm nghiên cứu từ các đại học hàng đầu Mỹ vừa phát triển chip quang tử 3D siêu nhỏ, kết hợp công nghệ quang học với điện tử CMOS, mang lại băng thông cực lớn và hiệu suất năng lượng vượt trội. Công nghệ này hứa hẹn sẽ xóa bỏ giới hạn truyền dữ liệu giữa các nút tính toán, thúc đẩy mạnh mẽ sự phát triển của phần cứng AI thế hệ mới.

